Nowy dysk Samsunga nie ma szans w starciu z technologią 3D X Point. Choć to Intel przygotowuje prawdziwy przewrót w świecie pamięci masowej, to jednak Samsung może wypełnić dziurę pomiędzy urządzeniami najdroższymi a SSD-kami o pamięci NAND.
Koreański producent nie przyznał się w jaki sposób udało im się zmodyfikować układy NAND, ale liczby związane z pracą nowego urządzenia mogą zachęcić osoby poszukujące wspólnego mianownika dla wydajności i żywotności. Dyski wykorzystujące technologię Z-NAND mają działać na linii PCI-E 4x i oferować 70% mniejsze opóźnienia w stosunku do standardowych magazynów SSD.
Poziom prędkości odczytu i zapisu informacji będzie kilkukrotnie wyższy niż w przypadku klasycznych SSD. Obie funkcje w Z-SSD mogą osiągnąć wynik do 3,2 GB/s. Z kolei wartość IOPS, a więc liczba operacji, które urządzenie jest w stanie wykonać w ciągu jednej sekundy, wyniesie dla trybu odczytu 750 000, a w trybie zapisu do 160.
Dużą niewiadomą jest planowana pojemność dysków Samsunga. Początkowo miały to być konkretne przechowalnie danych, liczące sobie do 4 TB, lecz do testów zastosowano 800 GB wersje. Pozostaje tylko wierzyć, że partnerzy Samsunga przeprowadzający niniejsze testy, otrzymali tylko modele poglądowe, a na rynku ostatecznie pojawią się grubsze kalibry. Na informacje o terminie premiery jak i o cenie dysków Z-SSD musimy jeszcze poczekać.
Źródło: theregister.co.uk, digitaltrends.com
