Obecnie na rynku najpojemniejsze moduły DDR4 to takie o pojemności 128 GB i 256 GB, składają się one z czterech warstw TSV, Samsung planuje podwoić tę wartość i wyprodukować moduły DDR5 o pojemności 512 GB składające się z 8 warstw TSV.
Wytworzenie nowych modułów DDR5 z podwojoną liczbą warstw TSV ma być możliwe dzięki pocienieniu pojedynczej warstwy TSV o 50%. Oczywiście, aby moduły działały, na samym pocienieniu pojedynczej warstwy nie może się skończyć. Moduły muszą być odpowiednio zasilane i chłodzone. Dzięki wydajniejszym regulatorom napięcia, nowe moduły pamięci będą pracowały z napięciem 1,1V a dodatkowo gęstsze ułożenie warstw TSV będzie skutkowało lepszym odprowadzaniem ciepła z układu do radiatorów.
Przewidywany wzrost wydajności modułów DDR5 względem DDR4 to około 85%, ale to nie pierwsza deklaracja, jaką widzimy z przewidywanymi wzrostami wydajności, dlatego i tę deklarację traktujemy trochę z przymrużeniem oka.
Według Samsunga całkowite przejście na moduły DDR5 ma nastąpić na przełomie lat 2023/2024, do tego czasu, już wszyscy producenci procesorów i płyt głównych przygotują swoje rozwiązania i przekonamy się na własnym przykładzie, czy faktycznie nowe moduły DDR5 oferują tak gigantyczny wzrost wydajności.
