Chiński producent modułów pamięci Longsys zaprezentował wyniki testów dla pamięci DDR5 4800 MHz połączonych z procesorem Intel Alder Lake. Najnowsza pamięć osiągnęła transfer rzędu 6,4 Gbps.
Firma Longsys aktualnie przygotowuje dwie wersje modułów DDR5 jeden o pojemności 16 GB i drugi dwa razy większy. Obydwa moduły RAM kości pamięci mają umiejscowione na jednej ścianie. W przypadku modułu 16 GB (JDEC R/C A 0.50) zainstalowanych jest osiem kości pamięci w przypadku modułu 32 GB (JDEC R/C B 0.51) liczba zainstalowanych kości pamięci to też osiem, z tą różnicą, że pojedyncza kość ma pojemność 4 GB, a nie 2 GB. Opóźnienia pamięci to CL40 (40-40-40-77), a napięcia, z jakimi mogą pracować te moduły to 1.1/1.1/1.8V (VDD / VDDQ / VPP). Sama zaś płytka krzemowa wykonana jest w technice wielowarstwowej – składa się z ośmiu warstw.
Wydajność najnowszych modułów DDR5 przewyższa starsze moduły DDR4 w skrajnych przypadkach aż o 53%, ale naszym zdaniem należy przyjąć, że wyniki, które zostały zarejestrowane przy pomocy syntetycznego testu AIDA 64 są bardziej zbliżone do rzeczywistych wzrostów wydajności, a tam wzrosty są skromniejsze. Szybkość odczytu wzrosła o 28%, a zapisu o 27%.
Technologią, która wraca wraz z nowymi modułami pamięci DDR5 jest sprzętowa korekcja błędów ECC, za którą teraz będzie odpowiadał oddzielny układ scalony na laminacie modułu.
Spodziewamy się, że pamięć DDR5 zadebiutuje na rynku pod koniec tego roku lub na początku przyszłego roku.
